Nanolitográfia
| Nanotechnológia Nanolitográfia és egyéb kapcsolódó eljárások |
|---|
|
Rétegleválasztás: Vékonyréteg-leválasztás, Kémiai gőzfázisú leválasztás, Atomi rétegleválasztás, Fizikai gőzfázisú leválasztás, Katódporlasztás, Vákuumpárologtatás, Impulzuslézeres leválasztás Felületmódosítás: Fókuszált ionnyalábos porlasztás, Reaktívion-marás, |
| Szakterületek |
|
Anyagtudomány, Szilárdtest-fizika, Atomfizika, Mezoszkopikus fizika, Felületfizika, Félvezetők |
| Alapjelenségek |
|
Nanoszerkezet, Kvantumbezárás, Van Hove-szingularitás, Kétdimenziós elektrongáz, Ballisztikus vezetés, Önszerveződés, Alagúthatás |
| Eljárások |
|
Nanolitográfia, Atomerő-mikroszkóp, Pásztázó alagútmikroszkóp, Pásztázó elektronmikroszkóp, Transzmissziós elektronmikroszkóp, Mágneses magrezonancia |
|
A Wikimédia Commons tartalmaz Nanotechnológia témájú médiaállományokat. |
A nanolitográfia nanotechnológiai eljárások egy csoportjának összefoglaló neve, amelyek nanoméretű objektumok, például nanoszerkezetek és az azokat befoglaló elektromechanikai eszközök előállítására alkalmazhatók. Az ilyen eljárások jellemzően egy maszkon át történő besugárzással, vagy a felület közvetlen módosításával, illetve szelektív felületkezeléssel történnek. Egyes típusait soros (egymás után történő), másokat párhuzamos (egyszerre több azonos szerkezetet kialakító) módban végzik. A kifejezés a litográfiával azaz a kőnyomattal köthető analógia alapján terjedt el a mikro- és a nanotechnológia nemzetközi szaknyelvében.
Igen sokféle litográfiás eljárást ismerünk nanoszerkezetek előállítására, és továbbiak állnak kutatás alatt. A fejlesztések hajtóereje elsősorban a miniatürizálás iránti félvezetőipari igény, de szerepe az alapkutatásban, illetve újfajta, az anyag alapvető építőkövekből való építésével kapcsolatos anyagtudományi kutatásokban is fontos.
A processzorgyártásban, és más félvezetőipari eljárásokban alkalmazott fotolitográfia széles körben elterjedt, de az egyre kisebb vonalszélességű alkalmazásoknál már láthatók ennek a felbontásbeli határai. Az optikai eljárások diffrakciós határának átlépésére számos módszert igyekeznek kifejleszteni. E téren egyelőre nagy áttörés nem történt, de azt sokan a következő évtizedekre várják.
Fotolitográfia
[szerkesztés | forrásszöveg szerkesztése]A fotolitográfia segítségével egy maszk mintázatát vetítik le a mintadarabon található fényérzékeny fotoreziszt bevonatra, melyet ezután nanoszerkezetek előállítására használnak. A maszk levilágítása során a fotoreziszt szelektíven módosul a mintázat szerint, melyen ezután kémiai vagy fizikai reakciók segítségével a maszkról leképezett mintázat alakítható ki. A nanoeszközök előállítása során gyakran sok ilyen lépést végrehajtva alakíthatók ki összetett térbeli formájú elrendezések.[1][2]
Lépései
[szerkesztés | forrásszöveg szerkesztése]A folyamat főbb lépései:[2]
- A mintadarab felületén fényérzékeny fotoreziszt-bevonatot alakítanak ki pl. spin-coating eljárással.
- A mintadarab fölé elhelyezik a fotomaszkot, mely a kívánt mintázat szerint lett kialakítva: tipikusan olyan vékony szűrő, mely bizonyos helyeken átengedi a nyalábot, máshol pedig nem.
- Ezt követi az expozíció, mely során a maszkon át szelektíven megvilágítják a mintadarabot. A fotoreziszt a nyalábra érzékeny, így ahol fény érte, kémiai jellemzői megváltoznak.
- A levilágított fotorezisztet kémiai vagy fizikai kezelésnek vetik alá, melyben az például szelektíven kioldódik. A rezisztet pozitívnak vagy negatívnak nevezik aszerint, hogy ettől a kezeléstől az exponált területek oldódnak-e le, vagy épp azok maradnak a felületen.
- A fenti lépéseket más eljárások követhetik: marás, porlasztás, rétegleválasztás stb. illetve további litográfiás lépések.

Elektronsugaras litográfia
[szerkesztés | forrásszöveg szerkesztése]A fotolitográfia felbontóképessége egy bizonyos méret (~100 nm) alá a gyakorlatban nehezen csökkenthető. Alternatív megoldásként alkalmazható az elektronsugaras litográfia, melyben fény (azaz fotonok nyalábja) helyett elektronnyalábot alkalmaznak a fotoreziszt lakk exponálására. Az elektron de Broglie-hullámhossza jóval kisebb, mint a fotoné, így ez a fény diffrakciós korlátja alatt is alkalmazható. A fókuszált elektronsugaras módszerrel tipikusan 20 nm-es felbontás érhető el. Azonban mivel ez soros módszer (a nyalábbal a teljes mintázatot végig kell pásztázni), ipari alkalmazása nem praktikus, inkább laboratóriumi eljárásokhoz, vagy fotolitográfiai maszkok készítésére alkalmazzák.
Fejlesztés alatt álló technikák
[szerkesztés | forrásszöveg szerkesztése]Források
[szerkesztés | forrásszöveg szerkesztése]Szakkönyvek
[szerkesztés | forrásszöveg szerkesztése]- Bucknall, David (2005). Nanolithography and patterning techniques in microelectronics. Cambridge Boca Raton, FL: Woodhead Pub. CRC Press. ISBN 978-1-84569-090-8.
- Mahalik, N. P. (2006). Micromanufacturing and nanotechnology. Berlin New York: Springer. ISBN 978-3-540-25377-8.
{{cite book}}: Cite has empty unknown parameter:|subtitle=(súgó) - Bhushan, Bharat (2010). Springer handbook of nanotechnology. Berlin: Springer. ISBN 978-3-642-02525-9.
{{cite book}}: Cite has empty unknown parameter:|subtitle=(súgó) - Feldman, Martin (2014). Nanolithography : the art of fabricating nanoelectronics, nanophotonics and nanobiology devices and systems. Oxford: Woodhead Publishing. ISBN 978-0-85709-500-8.
- Ramsden, Jeremy (2016). Nanotechnology : an introduction. Oxford: Elsevier/William Andrew. ISBN 978-0-323-39314-0.
{{cite book}}: Cite has empty unknown parameter:|subtitle=(súgó) - Cui, Zheng (2016). Nanofabrication : principles, capabilities and limits. Switzerland: Springer. ISBN 978-3-319-39361-2.
Szakfolyóirat-cikkek
[szerkesztés | forrásszöveg szerkesztése]- Chang, T. H. P. (1975). "Proximity effect in electron-beam lithography". Journal of Vacuum Science and Technology. 12 (6). American Vacuum Society: 1271–1275. doi:10.1116/1.568515. Hozzáférés: 2017. április 20..
- Pease, R. F. W. (1981). "Electron beam lithography". Contemporary Physics. 22 (3). Informa UK Limited: 265–290. doi:10.1080/00107518108231531. Hozzáférés: 2017. április 20..
- Chou, Stephen Y (1996. április 5.). "Imprint lithography with 25-nanometer resolution" (PDF). Science. 272 (5258). Washington: 85–87. Hozzáférés: 2017. április 20..
{{cite journal}}: Unknown parameter|coauthors=ignored (|author=suggested) (súgó) - Chou, Stephen Y. (1996). "Nanoimprint lithography" (PDF). Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures. 14 (6). American Vacuum Society: 4129. doi:10.1116/1.588605. Hozzáférés: 2017. április 20..
- Xia, Younan; Whitesides, George M. (1998). "SOFT LITHOGRAPHY" (PDF). Annual Review of Materials Science. 28 (1). Annual Reviews: 153–184. doi:10.1146/annurev.matsci.28.1.153. Hozzáférés: 2017. április 19..
- Vieu, C.; Carcenac, F.; P{\'e, A. (2000). "Electron beam lithography: resolution limits and applications" (PDF). Applied Surface Science. 164 (1–4). Elsevier: 111–117. doi:10.1016/s0169-4332(00)00352-4. Hozzáférés: 2017. április 20..
- Pease, R.F.; Chou, S.Y. (2008). "Lithography and Other Patterning Techniques for Future Electronics". Proceedings of the IEEE. 96 (2). Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE): 248–270. doi:10.1109/jproc.2007.911853. Hozzáférés: 2017. április 20..
Ismeretterjesztő weblapok
[szerkesztés | forrásszöveg szerkesztése]- "STM nanolitográfia". MFA Nyári Iskola Középiskolásoknak | alag3.mfa.kfki.hu. Hozzáférés: 2017. április 19..
- Havancsák Károly. "A nanovilág tudománya és technológiája" (PDF). Hozzáférés: 2017. április 19..
Jegyzetek
[szerkesztés | forrásszöveg szerkesztése]- ↑ N. Cheung. "Lecture 4. Photolithography" (PDF). U.C. Berkeley. Hozzáférés: 2017. április 21..
- 1 2 "Lithography Lecture #1" (PDF). hackman.mit.edu. 2016. december 13. dátummal az eredeti (PDF) címről archiválva. Hozzáférés: 2017. április 21..
{{cite web}}: Unknown parameter|archívdátum=ignored (súgó); Unknown parameter|archívurl=ignored (súgó)
